в твёрдом теле, отношение скорости направленного движения электронов проводимости и дырок (дрейфовой скорости υдр), вызванного электрическим полем, к напряжённости Е этого поля:
μ = υдр/Е.
У разных типов
носителей в одном и том же веществе μ различны, а в анизотропных кристаллах различны μ каждого типа
носителей для разных направлений поля
Е. Величина μ определяется процессами рассеяния электронов в кристалле. Рассеяние происходит на заряженных и нейтральных примесных частицах и дефектах кристаллической решётки, а также на тепловых колебаниях кристаллической решётки (См.
Колебания кристаллической решётки) (фононах). Испуская или поглощая фонон, носитель изменяет свой
Квазиимпульс и, следовательно, скорость. Поэтому μ сильно изменяется при изменении температуры. При
T ≥ 300 К преобладает рассеяние на фононах, с понижением температуры вероятность этого процесса падает и доминирующим становится рассеяние на заряженных примесях или дефектах, вероятность которого растет с уменьшением энергии
носителей.
Средняя дрейфовая скорость
v̅∂p набирается за интервал времени τ между двумя последовательными актами рассеяния (время свободного пробега) и равна:
(
е - заряд,
m - эффективная масса носителя), откуда: μ
= еτ/m. П. н. т. в разных веществах изменяется в широких пределах - от 10
7 см2/сек до 10
-3 см2/сек (и меньше) при
Т = 300 К. В переменном электрическом поле
v̅∂p может не совпадать по фазе с напряжённостью поля
Е и П. н. т. зависит от частоты поля. См. также статьи
Металлы, Полупроводники, Твёрдое тело.
Лит.: Блатт Ф.-Д ж., Теория подвижности электронов в твёрдых телах, пер. с англ., М.- Л., 1963: Иоффе А. Ф., Физика полупроводников, [2 изд.], М. - Л., 1957.
Э. М. Эпштейн.